台積電、三星與英特爾承諾　採用ASML下一代EUV設備

台積電：2030 年先進製程導入 High‑NA EUV 量產；2031 年建 12 吋光罩試產線，2033 年生態系就緒。 三星：2028 年 DRAM 率先量產 High‑NA EUV，後續延伸至 1.4 奈米級邏輯代工。 英特爾：High‑NA EUV 處理晶圓已破 100 萬片，短期以 6 吋光罩推進，並朝 6×12 吋大光罩過渡。 【新聞中心／綜合外電】 全球唯一極紫外光微影設備供應商 ASML 控股，已獲得三家頂尖晶片製造商的承諾，導入其高數值孔徑 EUV 設備，標誌著業界攜手合作、共同因應人工智慧處理器需求急速攀升的一大里程碑。 全球半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）在 SPIE Bacus 光罩與 EUV 大會前夕，一口氣拿下台積電、三星與英特爾的 High‑NA EUV 量產承諾，並聯手推動從 6 吋光罩升級至 12 吋光罩的產業級變革。此舉被視為 AI 晶片需求爆發下，先進製程生態系最關鍵的「統一路線圖」。 ASML 與台積電宣布，目標在 2031 年前建立 12 吋光罩試產線，2033 年讓 12 吋 High‑NA 微影系統進入先進節點量產。台積電董事長魏哲家指出，隨著 AI 應用帶動電晶體結構更複雜，需要 High‑NA EUV 的層數將持續增加，因此公司規劃自 2030 年起將 High‑NA 技術導入先進製程大量生產，初期仍沿用現有 6 吋光罩。 三星則表態，將在 2028 年率先把 High‑NA EUV 導入 DRAM 大量生產，成為記憶體領域首例；後續再將技術延伸至 1.4 奈米級先導邏輯製程，以強化其代工競爭力。英特爾方面則強調，其 High‑NA EUV 累積處理晶圓數已突破 100 萬片，短期將以 6 吋光罩（含拼接技術）推進，並同步朝 6×12 吋大尺寸光罩過渡，以加速良率與成本優化。 High‑NA EUV 單台設備價格高達約 4 億美元，但解析度可較前一代 EUV 提升約 1.7 倍、電晶體密度近乎三倍，直接對應 AI 加速器與資料中心晶片的算力密度需求。市場解讀，三大廠同步表態，等於為 ASML 的產能與技術迭代提供「需求背書」，也凸顯 AI 晶片軍備競賽已從設計端延伸到最上游的製程與設備投資。 *圖片為 AI生成示意圖，圖文歡迎轉載引用，請標註來源。