迎戰埃米世代 Swagelok發表新ALD閥與積層製造歧管

Swagelok參與SEMICON Taiwan 2026，展示多項產品技術創新。Swagelok 全球流體系統領導品牌美商世偉洛克（Swagelok）2026年參加台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan 2026），因應晶圓製造邁向埃米世代，推出新一代升級版ALD閥件，並公開發表積層製造（Additive Manufacturing；AM）歧管閥的創新流道技術，協助提升先進製程流體系統的穩定性，進而降低總擁有成本（TCO）、提升製程可靠度與機台使用時間，以高品質的解決方案與服務，與客戶共同因應AI時代的半導體挑戰。 Q1：在AI晶片引領的埃米世代先進製程中，原子層沉積與蝕刻面臨哪些主要流體挑戰？ AI應用持續推動半導體製程微縮與技術升級，也使製程複雜度同步提高；以一片AI晶片的製造為例，需經歷超過2,000道製程程序。隨著製程步驟與複雜度大幅提升，原子層沉積（Atomic Layer Deposition； ALD）及原子層蝕刻（Atomic Layer Etching；ALE）製程經常遇到脈衝流量不穩定、強腐蝕性前驅物、高維護停機成本及流道死角等問題，因此提升流體系統的控制精準度與穩定性，是消除前驅物供給變數、維持脈衝高重複性，進而奠定先進製程良率的關鍵基礎。 Q2：Swagelok新推出的升級版ALD7A閥件有哪些核心優勢？ Swagelok推出專為ALD與ALE製程所設計的ALD7A閥件，採用獨家316L不鏽鋼材質，具備優於SEMI F20標準的超高潔淨度（Ultrahigh Purity）表現。本次升級版進一步支援機台端流量調節，可依不同製程需求靈活調整流量，標準調整範圍約達25%。 此外，不同閥件間的流量差異可控制在±1%以內，在提升製程調整彈性的同時，也能維持高度一致的流量表現。ALD7A搭載新版的致動器（Actuator），具備不到3毫秒的快速開關作動能力，整體響應時間更控制在5毫秒以內，可實現高速且高重複性的氣體脈衝控制，進一步提升製程控制的精準度與穩定性。 Q3:針對極限高溫與強腐蝕性前驅物的嚴苛環境，Swagelok提供什麼解決方案？ 繼2025年首度亮相後，Swagelok旗艦款閥件ALD7C現已進入全面量產供貨階段，並已開放全球客戶下單訂購。ALD7C採用Alloy 22哈氏合金，不僅提供高抗腐蝕性能，同時可承受高達250°C的極限溫度環境，滿足ALD及ALE的高溫製程需求。 ALD7C同樣具備流量調節功能，並延續±1%的閥間流量一致性；標準配置下，流量調整範圍更可達約35%，為不同製程條件提供更高的調整彈性。此外，ALD7C更獨家採用可替換式閥芯（Cartridge）設計，同一閥體可進行5次閥芯更換，避免直接報廢，大幅延長產品使用壽命，降低總體擁有成本。 Q4：Swagelok首度發表的積層製造歧管閥技術，如何優化半導體製程產能？ 除了新款閥件的展示，Swagelok也首度發表全新積層製造（AM）歧管閥製造技術，可與ALD7C完美協作。透過一體成型設計提升密封可靠度、降低潛在洩漏風險，並依需求客製化打造平滑曲面流道，有效減少死角（Dead Volume），提升流量效率達2.5倍，不僅能顯著優化製程產能，並可順暢支援低蒸氣壓前驅物輸送；此外，其高密度流道配置還可進一步提升腔體（Chamber）空間利用率，滿足先進製程對高效率流體輸送與空間整合的需求。 Q5：Swagelok如何支援台灣半導體在地供應鏈與客戶？ 「在半導體先進製程中，流體系統扮演關鍵角色，從前驅物的精準輸送、流量與劑量控制，到高溫環境下的溫度均勻性與系統可靠度，都直接影響製程穩定性與良率。」Swagelok台灣總經理Yoon表示。 「Swagelok以『成為全世界所信賴的流體系統專家』為願景，致力於提供高品質、高可靠度的流體系統解決方案與服務。我們結合全球經驗以及在地技術團隊的專業支援，持續協助客戶因應先進製程對流體系統日益嚴格的要求，是支撐台灣半導體產業穩定運行的重要夥伴。」 Swagelok創立近80年來，持續研發與製造高品質、高可靠度的流體系統產品，憑藉深厚技術實力，滿足半導體先進製程對化學氣體輸送、精密流體控制，以及高溫、高腐蝕與高潔淨度等嚴苛環境的需求。此外，Swagelok亦深耕晶圓廠熱管理應用，提供防結露／冷凝解決方案、真空軟管、快接等產品，展現多元且靈活的應用能力。 Swagelok所有產品均為美國製造，並透過全球約450位現場工程師及經培訓認證的專業技術人員，結合全球技術資源與在地工程團隊，提供產品選型、技術諮詢、客製化組裝與實務訓練的整合服務。Swagelok深耕台灣28年，持續秉持「以客戶為核心（Customer-Focused）」的服務精神，協助晶圓製造大廠、設備製造商（OEM）及系統整合夥伴因應AI與先進製程的各式流體挑戰，共同提升營運效率與晶圓良率。