SK hynix успешно расширяет производство памяти DRAM по передовому техпроцессу 1c

Компания SK hynix переводит значительную часть своих производственных мощностей по выпуску оперативной памяти DRAM на новейший техпроцесс 1c, пишет TechPowerUp со ссылкой на южнокорейскую газету Chosun. По мере развития технологии DRAM компания переносит производство на более продвинутые техпроцессы 10-нм уровня. В первом квартале 2026 года на долю техпроцесса 10-нм класса шестого поколения 1c приходилось 10 % от общего объёма производства, а во втором этот показатель вырос до 13 %. Ожидается, что в текущем третьем квартале компания выпустит 24 % своей памяти DRAM на техпроцессе 1c, а в четвёртом этот показатель перевалит за треть (34 %). К первому кварталу 2027 года на долю техпроцесса 1c, как прогнозируется, придётся около 35 % от общего объёма производства, а на долю техпроцесса 1b, тоже 10-нм уровня, но пятого поколения, — 33 %, что сделает его самым распространённым техпроцессом SK hynix. Техпроцессы для производства DRAM отличаются от обычных логических техпроцессов, то есть тех, на базе которых выпускаются процессоры. Производители DRAM используют различные варианты техпроцессов от 10 до 19-нм (10-нм класса) и масштабируют их, добавляя больше слоёв EUV-литографии или улучшая другие характеристики. Для SK hynix доминирующий на данный момент техпроцесс 1b предполагает использование 12–13 нм по фактическому размеру и включает около четырёх слоёв EUV-литографии, в то время как самый передовой техпроцесс 1c предполагает уменьшение до 11–12 нм с использованием 5–6 слоёв EUV-литографии. SK hynix будет использовать техпроцесс 1c для производства памяти HBM4E, LPDDR6 и DDR5. На более старом техпроцессе 1b SK hynix производит память DDR5, LPDDR5X, HBM3E и HBM4. Для сравнения, другие производители DRAM, такие как Samsung, в настоящее время используют техпроцесс 1c только на 16 % своих производственных мощностей, в то время как у SK hynix этот показатель составляет 13 %. У Micron этот показатель равен 19 %, но SK hynix быстро наращивает производственные мощности и, как ожидается, в четвёртом квартале обгонит обе компании за счёт перехода на техпроцесс 1c. В перспективе SK hynix будет осваивать и другие техпроцессы, поскольку масштабирование DRAM становится всё более сложной задачей: стандартная планарная структура транзисторов 6F² сталкивается с физическими ограничениями при уменьшении размеров. Будущее за транзисторами с вертикальным затвором 4F² и трёхмерным стекированием DRAM, которые станут основой для наступления следующей эры DRAM, но узел 1c компания SK hynix будет использовать ещё долгие годы.