A SK hynix expande com sucesso a produção de memória DRAM utilizando tecnologia avançada de processo 1C.

A SK hynix está convertendo uma parte significativa de sua capacidade de produção de DRAM para a mais recente tecnologia de processo 1C, segundo informações da TechPowerUp, citando o jornal sul-coreano Chosun. Fonte da imagem: SK hynix Com o avanço da tecnologia DRAM, a empresa está migrando sua produção para processos de 10 nm mais avançados. No primeiro trimestre de 2026, o processo 1c de 10 nm de sexta geração representou 10% da produção total, subindo para 13% no segundo trimestre. No atual terceiro trimestre, a empresa espera produzir 24% de sua DRAM utilizando o processo 1c e, no quarto trimestre, esse número ultrapassará um terço (34%). Até o primeiro trimestre de 2027, a projeção é que o processo 1c represente aproximadamente 35% da produção total, enquanto o processo 1b, também de 10 nm de quinta geração, representará 33%, tornando-se o processo mais utilizado pela SK hynix. Os processos de fabricação de DRAM diferem dos processos lógicos convencionais, os mesmos utilizados na fabricação de processadores. Os fabricantes de DRAM utilizam diversas tecnologias de processo que variam de 10 a 19 nm (classe de 10 nm) e as escalam adicionando mais camadas de litografia EUV ou aprimorando outras características. Para a SK hynix, a tecnologia de processo 1b, atualmente dominante, utiliza 12–13 nm em tamanho real e inclui aproximadamente quatro camadas de litografia EUV, enquanto a tecnologia de processo 1c, mais avançada, envolve uma redução para 11–12 nm com 5–6 camadas de litografia EUV. A SK hynix utilizará a tecnologia de processo 1c para produzir memórias HBM4E, LPDDR6 e DDR5. A SK hynix utiliza a tecnologia de processo 1b, mais antiga, para produzir memórias DDR5, LPDDR5X, HBM3E e HBM4.Em comparação, outros fabricantes de DRAM, como a Samsung, utilizam atualmente a tecnologia de processo 1C em apenas 16% de sua capacidade de produção, enquanto a SK hynix possui 13%. MicronEssa cifra é de 19%, mas a SK hynix está expandindo rapidamente sua capacidade de produção e espera ultrapassar ambas as empresas no quarto trimestre, com a transição para o processo de fabricação 1c. No futuro, a SK hynix também explorará outros processos de fabricação, visto que a miniaturização da DRAM está se tornando cada vez mais desafiadora: a estrutura padrão de transistor planar 6F² enfrenta limitações físicas à medida que seu tamanho diminui. O futuro reside nos transistores de porta vertical 4F² e no empilhamento 3D de DRAM, que formarão a base da próxima era da DRAM, mas a SK hynix continuará utilizando o processo 1c por muitos anos.